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CST30P20M是BVDSS=-30V,RDSON=13mΩ,ID=-20A的P沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。

CST30P20M是高单元密度沟槽N沟MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。

CST30P20M符合RoHS和绿色产品的要求，并通过了全功能可靠性认证。

CST30P20M 描述：

CST30P20M是BVDSS=-30V,RDSON=13mΩ,ID=-20A的P沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。

CST30P20M是高单元密度沟槽N沟MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。

CST30P20M符合RoHS和绿色产品的要求，并通过了全功能可靠性认证。

CST30P20M 特点：

绿色设备可用

超低栅极电荷

出色的CdV/dt效应下降

先进的高细胞密度沟槽技术

CST30P20M 产品概述:

BVDSS	RDSON	ID
-30V	13mΩ	-20A

CST30P20M DFN2020-6L 引脚配置:

CST30P20M 测试电路:

CST30P20M DFN2020-6L 包装数据: