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CST30100G是BVDSS=30V,RDSON=3.8mΩ,ID=80A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN5060-8L封装。

CST30100G是高单元密度沟槽MOSFET，可为DC/DC转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
CST30100G符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性得到批准。

CST30100G Description:

CST30100G是BVDSS=30V,RDSON=3.8mΩ,ID=80A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN5060-8L封装。

CST30100G是高单元密度沟槽MOSFET，可为DC/DC转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
CST30100G符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性得到批准。

CST30100G特性:

超低栅极电荷

100%EAS保证

绿色设备可用

出色的CdV/dt效应下降

先进的高细胞密度沟槽技术

CST30100G 产品概览:

BVDSS	RDSON	ID
30V	3.8mΩ	80A

CST30100G PDFN5060-8L 引脚配置:

CST30100G 测试电路: