CST2010S 说明:
CST2010S是BVDSS=20V,RDSON=13mΩ,ID=8A的N沟道快速切换Mosfet。提供SOP8封装。
CST2010S是高单元密度沟槽式N沟MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
CST2010S符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。
CST2010S 特点:
100%EAS保证
绿色设备可用
超低栅极电荷
出色的CdV/dt效应下降
先进的高细胞密度沟槽技术
CST2010S 产品概述:
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BVDSS
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RDSON
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ID
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20V |
13mΩ |
8A |
CST2010S SOP8 引脚配置:
CST2010S SOP-8封装信息:
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